RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3093
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link