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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3093
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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