Comparación de la memoria RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Puntuación global

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

22 29

En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.7 15.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.9 12.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

23400 21300

En 1.1 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3075 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns