Comparação RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Pontuação geral

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

22 29

Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.7 15.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.9 12.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

23400 21300

Por volta de 1.1 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3075 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns