Porównanie pamięci RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Wynik ogólny

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

22 29

Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

17.7 15.6

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

12.9 12.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

23400 21300

Wokół strony 1.1 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3075 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns