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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
29
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
21300
Autour de 1.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
23400
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
3093
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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