Comparaison de la RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Note globale

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

22 29

Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.7 15.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.9 12.7

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

23400 21300

Autour de 1.1 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3075 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns