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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
46
En -5% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
44
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2191
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Kingston X6TCK6-MIE 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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