RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
62
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
62
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
1772
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link