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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2829
3496
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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