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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
比较
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
16.5
18.2
写入速度,GB/s
10.9
14.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2829
3496
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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