RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
14.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2829
3496
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link