RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2829
3496
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link