RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
67
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
3546
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link