Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 48
    En 42% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.5 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.3 left arrow 7.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 8500
    En 3.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 48
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 17.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 8.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1988 left arrow 2196
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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