RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
48
Autour de 42% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
48
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2196
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link