RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
67
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2690
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link