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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
67
En -49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
45
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2414
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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