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AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
67
En -139% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
3552
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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