AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

AMD AE34G2139U2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Puntuación global
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AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 56
    En -143% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.5 left arrow 7.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.6 left arrow 5.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    56 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    7.4 left arrow 17.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.6 left arrow 14.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1462 left arrow 3260
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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