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AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
56
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
23
读取速度,GB/s
7.4
17.5
写入速度,GB/s
5.6
14.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
3260
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905702-019.A00G 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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