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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Compara
AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Puntuación global
AMD AE34G2139U2 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD AE34G2139U2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
57
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
57
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1462
2377
AMD AE34G2139U2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
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