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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparez
AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Note globale
AMD AE34G2139U2 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD AE34G2139U2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
57
Autour de 2% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
57
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1462
2377
AMD AE34G2139U2 4GB Comparaison des RAM
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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