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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
73
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3723
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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