RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3119
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link