RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3119
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link