RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3119
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link