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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

总分
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 43
    左右 -43% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.7 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 17.7
  • 写入速度，GB/s
    7.7 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1823 left arrow 3119

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较

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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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