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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
73
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
35
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2982
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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