RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
73
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3208
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link