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AMD R5316G1609U2K 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
73
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
30
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2496
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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