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AMD R5316G1609U2K 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
15.5
写入速度,GB/s
5.2
9.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2496
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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