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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905678-043.A00G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
16.1
15.3
写入速度,GB/s
10.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2645
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
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