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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
3,405.2
14.7
写入速度,GB/s
2,622.0
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3012
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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