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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
73
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2865
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
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