Comparación de la memoria RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Puntuación global

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

38 67

En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.2 6.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.3 3.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 12800

En 1.66% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2148 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns