Confronto tra le RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

38 67

Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.2 6.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.3 3.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2148 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns