Porównanie pamięci RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wynik ogólny

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

38 67

Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

14.2 6.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.3 3.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2148 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns