Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

総合得点

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

38 67

周辺 43% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

14.2 6.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

10.3 3.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66% 高帯域

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

38 67
読み出し速度、GB/s

14.2 6.2
書き込み速度、GB/秒

10.3 3.4
メモリ帯域幅、mbps

21300 12800

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2148 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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