RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
51
周辺 -113% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.5
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.0
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
24
読み出し速度、GB/s
15.6
20.5
書き込み速度、GB/秒
11.8
17.0
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
4064
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link