RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4064
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link