RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
51
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
24
Velocità di lettura, GB/s
15.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
4064
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link