Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    38 left arrow 67
    Por volta de 43% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.2 left arrow 6.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.3 left arrow 3.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    38 left arrow 67
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.2 left arrow 6.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.3 left arrow 3.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2148 left arrow 1076
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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