Comparação RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Pontuação geral

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

38 67

Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.2 6.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.3 3.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 12800

Por volta de 1.66% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2148 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns