RAM-Vergleich Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Gesamtnote

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

38 67

Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.2 6.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.3 3.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 12800

Rund um 1.66% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2148 1076

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns