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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
73
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
36
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
1778
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
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