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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston XN205T-MIE2 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3698
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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