RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston XN205T-MIE2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
16.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
44
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
29
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
16.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3698
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link