RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Kingston XN205T-MIE2 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
3698
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link