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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
51
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
2,198.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
44
51
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
5,018.9
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
2,198.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
6400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
785
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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