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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
71
73
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
71
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
1767
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
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