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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
71
73
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
71
读取速度,GB/s
6.3
15.3
写入速度,GB/s
5.2
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1767
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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