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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
33
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2987
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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