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AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
73
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3064
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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